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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模坯料-CN201410738666.7有效
发明人：笹本纮平;稻月判臣;深谷创一;中川秀夫;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模图案的光掩模，该光掩模用于使用具有最高至250nm波长的曝光光形成具有最高至0.1μm线宽的抗蚀剂图案的光刻法。
光掩模坯料

[发明专利]光掩模坯料-CN201810188726.0在审
发明人：深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯料，该光掩模坯料具有在透明衬底上的任选第一膜、第二膜、第三膜和第四膜。第一膜和第三膜由含硅材料形成，该含硅材料耐氯基干法刻蚀并通过氟基干法刻蚀可除去。
法刻光掩模坯料含铬材料含硅材料刻蚀时间比衬底透明

[发明专利]光掩模坯料-CN95191612.2无效
发明人： H·U·阿尔培;R·H·弗伦奇;F·D·卡尔克 -专利权人：杜邦光掩公司
申请日： 1995-02-10 - 公布日： 2003-10-01 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了可透过预埋移相器-光掩模坯料，它包括一种光学非均匀性衰减薄膜，该薄膜在平印波长下至少具有0.001的透射，而且实质上是由多种成分的组合构成的，其中一种成分比另一种成分在平印波长下具有更高的吸收率
光掩模坯料

[发明专利]制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶-CN201810125208.4有效
发明人：稻月判臣;笹本纮平;由利勉 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。
制备光掩模坯料方法金属

[实用新型]光掩模坯料和光掩模组-CN201720040773.1有效
发明人：桥本昌典 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型提供能够降低半色调掩模重合误差的光掩模坯料和光掩模组。本实用新型提供一种在四边形的4个顶点具备对准图形且关联有各对准图形的坐标位置的数据信息的光掩模坯料，通过参照上述坐标位置的数据信息修正形成于所述光掩模坯料上的转印图形，能够大幅降低重合误差。另外，通过使用利用上述光掩模坯料形成转印图形的光掩模组，能够大幅降低产品制造的光刻步骤中的重合误差。
光掩模坯料模组

[发明专利]光掩模坯料及其制造方法-CN201810596424.7在审
发明人：稻月判臣;吉井崇;桜田豊久;池田显;金子英雄;渡边聪;河合义夫 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后
光掩模坯料无机膜抗蚀膜制造硅烷化处理抗蚀剂残渣透明基板光掩膜坯料显影

[发明专利]光掩模坯料及其制造方法-CN201910904266.1在审
发明人：稻月判臣;吉井崇;桜田豊久;池田显;金子英雄;渡边聪;河合义夫 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后
光掩模坯料无机膜抗蚀膜硅烷化处理制造抗蚀剂残渣透明基板光掩膜坯料显影

[发明专利]光掩模坯料及制造方法-CN201810605620.6在审
发明人：高坂卓郎;寺泽恒男;入江重夫;木下隆裕 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料及制造方法。将光掩模坯料加工成透射光掩模，该透射光掩模用于使用曝光光在接受体上形成图案的光刻。该光掩模坯料包括：透明衬底、可通过氯/氧基干蚀刻来蚀刻的材料的第一膜、和含硅材料的第二膜。该第二膜包括相对于检查光的波长(长于曝光光)具有至少1.6的折射率n或至少0.3的消光系数k的层。
光掩模坯料蚀刻曝光光透射光掩模含硅材料消光系数检查光接受体折射率波长衬底光刻制造图案透明加工

[发明专利]光掩模坯料、光掩模坯料的制造方法、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN201911179769.3在审
发明人：田边胜;浅川敬司;安森顺一;石原重德;花冈修 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料、光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法-CN202211150078.2在审
发明人：田边胜;浅川敬司;中村仁美;安森顺一 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：[课题]提供一种具有高的抗静电击穿特性、并且与以往相比能够降低负载效应等的光掩模坯料、光掩模、光掩模的制造方法和显示装置的制造方法。[解决手段]例如FPD制造用的光掩模坯料的特征在于，其具有透明基板和该透明基板上的遮光膜，遮光膜含有钛(Ti)和硅(Si)，遮光膜的薄层电阻值为40Ω/sq以上。由此，与现有的光掩模坯料相比能够改善抗静电击穿特性，并且能够降低负载效应。
光掩模坯料制造方法显示装置

[发明专利]光掩模坯料及光掩模-CN200580036565.4有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;岩片政秀;高木干夫;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模
光掩模坯料

[发明专利]光掩模坯料和制备光掩模的方法-CN201811342214.1在审
发明人：稻月判臣;笹本纮平;松桥直树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。
光掩模坯料光掩模含铬铬原子氧原子制备干法刻蚀铬化合物衬底含氧透明加工

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN201510458035.4有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。
光掩模坯料设计

[发明专利]光掩模坯料的设计和光掩模坯料-CN202010110602.8有效
发明人：笹本纮平;金子英雄;稻月判臣;深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。
光掩模坯料设计

[发明专利]光掩模坯料及其制造方法-CN201310150443.4有效
发明人：深谷创一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供光掩模坯料及其制造方法。本发明的目的是提供一种光掩模坯料，其中存在很少的翘曲并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。在上述处理后在所述相移膜上沉积遮光膜(S104)，由此获得光掩模坯料(S105)。
光掩模坯料及其制造方法

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